Lo scopo principale di questo lavoro è lo studio dettagliato di film sottili di N-SiO2, depositati mediante RF magnetron sputtering. Per studiare la natura della popolazione dei difetti nei film di SiO2 è stata utilizzata la spettroscopia da catodoluminescenza, mentre la caratterizzazione fisica è stata ottenuta attraverso misure RBS, XPS e IBIL. Allo scopo di studiare l’evoluzione termica dei film depositati, i campioni ottenuti sono trattati termicamente in un range di temperature da 50°C a 1200°C, con step di 50°C.
Defects related cathodoluminescence of N-doped silica thin films prepared by radio frequency magnetron sputtering
Boffelli, Marco
2012/2013
Abstract
Lo scopo principale di questo lavoro è lo studio dettagliato di film sottili di N-SiO2, depositati mediante RF magnetron sputtering. Per studiare la natura della popolazione dei difetti nei film di SiO2 è stata utilizzata la spettroscopia da catodoluminescenza, mentre la caratterizzazione fisica è stata ottenuta attraverso misure RBS, XPS e IBIL. Allo scopo di studiare l’evoluzione termica dei film depositati, i campioni ottenuti sono trattati termicamente in un range di temperature da 50°C a 1200°C, con step di 50°C.File in questo prodotto:
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https://hdl.handle.net/20.500.14247/544